ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧОЇ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ n-TiN/n-GaP.
Цифровой репозиторий Харьковской национальной академии городского хозяйства (ХНАГХ)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧОЇ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ n-TiN/n-GaP.
|
|
| Creator |
Солован, М.М
Брус, В.В Мар’янчук, П.Д Майструк, Е.В. Орлецький, І.Г |
|
| Subject |
№ 1 (2014): №37
|
|
| Description |
Отримано світловипромінюючі гетероструктури n-TiN/n-GaP шляхом нанесення тонкоплівкового TiN методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні підкладки фосфіду галію. Досліджено температурні залежності висоти потенціального бар'єру і послідовного опору ізотипного гетеропереходу n-TiN/n-GaP та вольт фарадні характеристики при різних частотах збуджуючого сигналу. Встановлено, що домінуючі механізми струмопереносу через гетероструктуру при прямому зміщенні добре описуються в рамках тунельно-рекомбінаційної і генераційно - рекомбінаційної моделей за участю поверхневих станів. |
|
| Publisher |
Харк. нац. ун-т міськ. госп-ва ім. О. М. Бекетова
|
|
| Date |
2014
|
|
| Type |
Статья
NonPeerReviewed |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://eprints.kname.edu.ua/37700/1/3.pdf
Солован, М.М и Брус, В.В и Мар’янчук, П.Д и Майструк, Е.В. и Орлецький, І.Г (2014) ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СВІТЛОВИПРОМІНЮЮЧОЇ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ n-TiN/n-GaP. Міжнародний науково-технічний журнал "Світлотехніка та Електроенергетика" . С. 4-10. |
|
| Relation |
http://eprints.kname.edu.ua/37700/
|
|