Характеризація пористого карбіду кремнію за спектрами поглинання і фотолюмінесценції
Институционный репозиторий Киевского университета имени Бориса Гринченко
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://elibrary.kubg.edu.ua/5447/
http://journals.ioffe.ru/ftp |
|
| Title |
Характеризація пористого карбіду кремнію за спектрами поглинання і фотолюмінесценції
Характеризация пористого карбида кремния по спектрам поглощения и фотолюминесценции Characterization of porous silicon carbide by absorption and photoluminescence |
|
| Creator |
Березовская, Н.И.
Бачериков, Ю.Ю. Конакова, Р.В. Охрименко, О.Б. Литвин, Оксана Степанівна Линец, Л.Г. Светличный, А.М. |
|
| Subject |
Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування)
|
|
| Description |
Представлені результати досліджень методами атомно-силової мікроскопії, спектроскопії оптичного поглинання і фотолюмінесценції пористого карбіду кремнію, створеного методом анодного травлення. Аналіз отриманих даних вказує на відсутність в пористому шарі фази кубічного SiC, а поява фотолюмінесценції por-SiC при енергії збуджуючого випромінювання hνex ≤ Eg обумовлена утворенням центрів випромінювання, пов'язаних з атомами домішки і поверхневими дефектами, що виникають при анодному травленні зразка та подальшій обробці, що розкриває пори.
Представлены результаты исследований методами атомно-силовой микроскопии, спектроскопии оптического поглощения и фотолюминесценции пористого карбида кремния, созданного методом анодного травления. Анализ полученных данных указывает на отсутствие в пористом слое фазы кубического SiC, а появление фотолюминесценции por-SiC при энергии возбуждающего излучения hνex ≤ Eg обусловлено образованием центров излучения, связанных с атомами примеси и поверхностными дефектами, возникающими при анодном травлении образца и последующей обработке, вскрывающей поры. The paper presents the results of studies by atomic force microscopy, optical absorption spectroscopy and photoluminescence of porous silicon carbide, created by anodic etching. Analysis of the data indicates the absence of a porous layer of the cubic phase of SiC, and the appearance of photoluminescence por-SiC at excitation hνex ≤ Eg, due to the formation of centers of radiation which associated with impurity atoms and surface defects that occur during the anodic etching of the sample and subsequent treatment, revealing the pores. |
|
| Publisher |
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
|
|
| Date |
2014-08-01
|
|
| Type |
Стаття
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://elibrary.kubg.edu.ua/5447/1/N_Berezovska_Yu_Bacherikov%20_R_%20Konakov_%D0%9E_Okhrimenko%20_O_Lytvyn_etc_FTP-2014_IS.pdf
Березовская, Н.И. та Бачериков, Ю.Ю. та Конакова, Р.В. та Охрименко, О.Б. та Литвин, Оксана Степанівна та Линец, Л.Г. та Светличный, А.М. (2014) Характеризація пористого карбіду кремнію за спектрами поглинання і фотолюмінесценції Физика и техника полупроводников, 48 (8). с. 1055-1058. ISSN 0015-3222 |
|