Дослідження впливу температури опромінення на зміну параметрів напівпровідникових сенсорів магнітного поля на основі insb та inas
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дослідження впливу температури опромінення на зміну параметрів напівпровідникових сенсорів магнітного поля на основі insb та inas
Investigation of irradiation temperature influence on the change inparamets of semiconductor magnetic field sensors based on insb and inas |
|
| Creator |
Большакова, І. А.
Гумен, І. С. Ковальова, Н. В. Макіло, О. Ю. Маслюк, В. Т. Мегела, І. Г. Шуригін, Ф. М. |
|
| Description |
Виконано дослідження впливу температури опромінення сенсорів на основі гетероструктур n-InSb/i-GaAs та n-InAs/Al2O3 високоенергетичними електронами в діапазоні від 0 до 200 °С, а також впливу ізохронного відпалу у вакуумі на параметри опромінених зразків. Показано, що під час опромінення в гратку InSb та InAs вводяться радіаційні дефекти як донорного, так і акцепторного типів. Встановлено, що ефективність впливу радіаційних дефектів на властивості досліджених структур залежить від рівня легування епітаксійних плівок та температури опромінення. Методом ізохронного відпалу зразків, опромінених при різних температурах, доведено, що точкові радіаційні дефекти, які виникають під час опромінення високоенергетичними електронами, зазнають часткового відпалу під час високотемпературного опромінення. The impact of temperature of n-InSb/i-GaAs and n-InAs/Al2O3 heterostructure-based sensors’ irradiation with high-energy electrons in the range from 0°C up to 200°C, as well as the influence of isochronous annealing in vacuum upon the parameters of irradiated samples have been investigated. It has been demonstrated that radiation defects of both donor and acceptor types are input into InSb and InAs lattice during irradiation process. It has been determined that the effectiveness of radiation defects’ impact on the characteristics of structures under research depends upon the level of epitaxial films’ doping and irradiation temperature. It has been proved with the help of samples’ isochronous annealing method (applied to the samples irradiated at different temperatures) that point radiation defects appearing at irradiation with high-energy electrons sustain partial annealing in the course of high-temperature irradiation. |
|
| Date |
2009-09-03T11:36:58Z
2009-09-03T11:36:58Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Дослідження впливу температури опромінення на зміну параметрів напівпровідникових сенсорів магнітного поля на основі insb та inas / І. А. Большакова, І. С. Гумен, Н. В. Ковальова, О. Ю. Макіло, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2008. – № 619 : Електроніка. – С. 74–82. – Бібліографія: 15 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/345 |
|
| Publisher |
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
|
|