Зміна зарядового стану йонів ітербію у сильноактивованих кристалах та епітаксійних плівках Yb:Y3Al3o12
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Зміна зарядового стану йонів ітербію у сильноактивованих кристалах та епітаксійних плівках Yb:Y3Al3o12
Recharge processes of yterbium ions on highly doped Yb:Y3Al3o12 single crystals and epitaxial films |
|
Creator |
Мартинюк, Н. В.
Бурий, О. А. Убізський, С. Б. Сиворотко, І. І. Бьоргер, А. Беккер, К. Д. |
|
Description |
Наведено результати вивчення впливу домішок на перезарядку йонів Yb3+ « Yb2+ під час термохімічних обробок у кристалах Yb:Y3Al5O12 (Yb:ІАГ). Засобами оптичної спектроскопії та вимірюванням часу життя верхнього лазерного рівня досліджено монокристали Yb:Y3Al5O12, Yb3Al5O12 (YbAГ), Ni:Yb3Al5O12, K:Yb3Al5O12, вирощені за методом Чохральського, а також монокристалічні плівки Yb:ІАГ, одержані методом рідинно-фазної епітаксії. Встановлено, що процес відновлення Yb3+ ® Yb2+ в Yb:ІАГ може бути реверсивним або нереверсивним, залежно від наявності в кристалі легуючих або неконтрольованих домішок. In this communication we report about our study on the influence of impurities on recharge processes Yb3+ « Yb2+ under thermo-chemical treatments in Yb:Y3Al5O12 (Yb:YAG) crystals and films. Single crystals of Yb:Y3Al5O12, Yb3Al5O12 (YbAG), Ni:Yb3Al5O12, K:Yb3Al5O12 grown by Czochralski- technique as well as single crystalline films of Yb:Y3Al5O12 grown by liquid phase epitaxy were investigated by means of fluorescence lifetime measurements and optical spectrometry. It was found, that the reduction process Yb3+ ® Yb2+ in Yb:YAG can be reversible or non-reversible depending on the presence of additional (doping or impurity) ions. |
|
Date |
2009-09-15T11:11:04Z
2009-09-15T11:11:04Z 2008 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Зміна зарядового стану йонів ітербію у сильноактивованих кристалах та епітаксійних плівках Yb:Y3Al3o12 / Н. В. Мартинюк, О. А. Бурий, С. Б. Убізський, І. І. Сиворотко, А. Бьоргер, К. Д. Беккер // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2008. – № 619 : Електроніка. – С. 87–93. – Бібліографія: 14 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/1865 |
|
Publisher |
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
|
|