Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках
Устройство для определения толщины эпитаксиальных слоев в полупроводниках Device for determination of thickness of epitaxial layers in semiconductors |
|
| Creator |
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович Дуда, Роман Валерійович Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Дуда, Роман Валериевич Osadchyk, Volodymyr Stepanovych Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych Duda, Roman Valeriiovych |
|
| Subject |
визначення товщини епітаксіальних шарів
контрольно-вимірювальна техніка фізика напівпровідників мікроелектронна техніка G01N 27/00 |
|
| Description |
Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою. Додатково введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, біполярний транзистор, перший та другий конденсатори та джерело постійної напруги.
Устройство для определения толщины эпитаксиальных слоев в полупроводниках содержит источник света и эпитаксиальную структуру, которые последовательно соединены между собой. Дополнительно введен блок обработки и индикации сигнала, микроэлектронный частотный преобразователь, который содержит фоторезистор, первый и второй резисторы, первый и второй полевые транзисторы, биполярный транзистор, первый и второй конденсаторы и источник постоянного напряжения. A device for the determination of thickness of epitaxial layers in semiconductors includes a light source and epitaxial layer that are connected to each other in sequence. Additionally it comprises a unit for signal processing and indication, microelectronic frequency converter, which includes a photo-resistor, first and second resistors, first and second field transistors, bipolar transistor, first and second capacitors and DC power source. |
|
| Date |
2015-04-01T08:22:44Z
2015-04-01T08:22:44Z 2014-07-25 |
|
| Type |
Other
|
|
| Identifier |
91869
Пат. 91869 UA, МПК G01N 27/00. Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Р. В. Дуда (Україна). - № u201306637 ; заявл. 28.05.2013 ; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14. - 4 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/317 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|