Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках
Микроэлектронное устройство для определения толщины эпитаксиальных слоев в полупроводниках Microelectronic device for determination of thickness of epitaxial layers in semiconductors |
|
| Creator |
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович Дуда, Роман Валерійович Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Дуда, Роман Валериевич Osadchyk, Volodymyr Stepanovych Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych Duda, Roman Valeriiovych |
|
| Subject |
контрольно-вимірювальна техніка
фізика напівпровідників мікроелектронна техніка мікроелектронний пристрій визначення товщини епітаксіальних шарів |
|
| Description |
Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою. Додатково в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, резистор, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор, дві вихідні клеми та джерело постійної напруги.
Микроэлектронное устройство для определения толщины эпитаксиальных слоев в полупроводниках содержит источник света и эпитаксиальную структуру, которые последовательно соединены между собой. Дополнительно в него введен блок обработки и индикации сигнала, микроэлектронный частотный преобразователь, который содержит фоторезистор, резистор, первый и второй полевые транзисторы, индуктивность, ограничительный конденсатор, две выходные клеммы и источник постоянного напряжения. A microelectronic device for the determination of thickness of epitaxial layers in semiconductors includes a light source and epitaxial structure that are connected to each other in sequence. Additionally it comprises a unit for signal processing and indication, microelectronic frequency converter that includes a photoresistor, resistor, first and second field transistors, inductance, restriction capacitor, two output terminals and a DC power source. |
|
| Date |
2015-04-01T08:27:44Z
2015-04-01T08:27:44Z 2014-07-25 |
|
| Type |
Other
|
|
| Identifier |
91868
Пат. 91868 UA, МПК G01N 27/12. Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Р. В. Дуда (Україна). - № u201306636 ; заявл. 28.05.2013 ; опубл. 25.07.2014, Бюл. № 14. - 4 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/318 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|