Мікроелектронний пристрій для вимірювання EPC Холла при постійному струмі та магнітному полі
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронний пристрій для вимірювання EPC Холла при постійному струмі та магнітному полі
Микроэлектронное устройство для измерения ЭДС Холла при постоянном токе и магнитном поле Microelectronic device for measurement of hall emf at direct current and magnetic field |
|
| Creator |
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович Крилик, Людмила Вікторівна Дуда, Роман Валерійович Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Крилик, Людмила Викторовна Дуда, Роман Валериевич Osadchuk, Volodymyr Stepanovych Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych Krylyk, Liudmyla Viktorivna Duda, Roman Valeriiovych |
|
| Subject |
контрольно-вимірювальна техніка
мікроелектронна техніка фізика напівпровідників мікроелектронний пристрій вимірювання ЕРС Холла G01N 27/12 |
|
| Description |
Мікроелектронний пристрій для вимірювання ЕРС Холла при постійному струмі та магнітному полі містить джерело постійної напруги та міліамперметр, які паралельно з'єднані зі зразком прямокутної форми, який знаходиться між полюсами постійного магніту. В пристрій введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор та друге джерело постійної напруги, причому перший полюс другого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом обмежувального конденсатора та другим виводом індуктивності, перший вивід якої з'єднаний з стоком першого польового транзистора, першим та другим затворами другого польового транзистора, першою вихідною клемою пристрою і першим виводом першого резистора, другий вивід якого з'єднаний з першим виводом другого резистора, витоками першого і другого польових транзисторів та другою вихідною клемою пристрою, другий вивід другого резистора з'єднаний зі стоком другого польового транзистора, першим та другим затворами першого польового транзистора, другим виводом обмежувального конденсатора, другим полюсом другого джерела постійної напруги, причому до вихідних клем під'єднано блок обробки та індикації сигналу.
Микроэлектронное устройство для измерения ЭДС Холла при постоянном токе и магнитном поле содержит источник постоянного напряжения и миллиамперметр, которые параллельно соединены с образцом прямоугольной формы, который находится между полюсами постоянного магнита. В устройство введен блок обработки и индикации сигнала, микроэлектронный частотный преобразователь, который содержит первый и второй резисторы, первый и второй полевые транзисторы, индуктивность, ограничительный конденсатор и второй источник постоянного напряжения, причем первый полюс второго источника постоянного напряжения соединен с первым выводом ограничительного конденсатора и вторым выводом индуктивности, первый вывод которой соединен со стоком первого полевого транзистора, первым и вторым затворами второго полевого транзистора, первой выходной клеммой устройства и первым выводом первого резистора, второй вывод которого соединен с первым выводом второго резистора, истоками первого и второго полевых транзисторов и второй выходной клеммой устройства, второй вывод второго резистора соединен со стоком второго полевого транзистора, первым и вторым затворами первого полевого транзистора, вторым выводом ограничительного конденсатора, вторым полюсом второго источника постоянного напряжения, причем к выходным клеммам подсоединен блок обработки и индикации сигнала. The microelectronic device for measurement of the Hall EMF at direct current and static magnetic field includes a source of direct voltage and a milliampermeter connected in parallel to the sample in rectangular shape that is between the poles of the permanent magnet. To the device are included: a processing and signal indication block, microelectronic frequency converter that includes the first and the second resistors, the first and the second field transistors, inductance, restriction capacitor and the second source of direct voltage, at that the first pole of the second source of direct voltage is connected to the first output of the restriction capacitor and the second output of the inductance, the first output of that one is connected to the sink of the first field transistor, the first and the second gates of the second field transistor, the first output terminal of the device and the first output of the first resistor, the second output of this one is connected to the first output of the second resistor, sinks of the first and the second field transistors and the second input terminal of the device, the second output of the second resistor is connected to the sink of the second field transistor, the first and the second gates of the first field transistor, the second output of the restriction capacitor, second pole of the second source of direct voltage, at that to the output terminals block for signal processing and indication is connected. |
|
| Date |
2015-04-03T11:02:58Z
2015-04-03T11:02:58Z 2014-06-25 |
|
| Type |
Other
|
|
| Identifier |
91016
Пат. 91016 UA, МПК G01N 27/12. Мікроелектронний пристрій для вимірювання ерс холла при постійному струмі та магнітному полі [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Л. В. Крилик, Р. В. Дуда (Україна). - № u201309925 ; заявл. 09.08.2013 ; опубл. 25.06.2014, Бюл. № 12. - 4 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/338 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|