Мікроелектронний сенсор магнітного поля
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронний сенсор магнітного поля
Микроэлектронный сенсор магнитного поля Microelectronic magnetic field sensor |
|
| Creator |
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович Білилівська, Ольга Петрівна Ющенко, Юрій Андрійович Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Билиливская, Ольга Петровна Ющенко, Юрий Андреевич Osadchuk, Volodymyr Stepanovych Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych Bilylivska, Olha Petrivna Yuschenko, Yurii Andriiovych |
|
| Subject |
H01L 29/82
H01L 43/00 G01R 33/06 контрольно-вимірювальна техніка мікроелектронний сенсор сенсор магнітного поля |
|
| Description |
Мікроелектронний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми. Введені двозатворний МОН-транзистор, індуктивність та ємність. Як двостоковий магніточутливий МОН-транзистор використано двостоковий двозатворний магніточутливий МОН-транзистор.
Микроэлектронный сенсор магнитного поля, который содержит двухстоковый магниточувствительный МОП-транзистор, источник постоянного напряжения, два резистора, общую шину и две выходных клеммы. Введены двухзатворный МОП-транзистор, индуктивность и емкость. В качестве двухстокового магниточувствительного МОП-транзистора использован двухстоковый двухзатворный магниточувствительный МОП-транзистор. A microelectronic magnetic field sensor comprises a two-drain magnetic field sensitive MOS-transistor, a DC power supply, two resistors, a common bus and two output terminals. A dual-gate MOS-transistor, an inductance and a capacitor are introduced. The two-drain duel-gate magnetic field sensitive MOS-transistor is used as duel-drain magnetic field sensitive MOS transistor. |
|
| Date |
2015-04-09T09:42:02Z
2015-04-09T09:42:02Z 2012-06-25 |
|
| Type |
Other
|
|
| Identifier |
70968
Пат. 70968 UA, МПК H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06. Мікроелектронний сенсор магнітного поля [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. П. Білилівська, Ю. А. Ющенко (Україна). - № u201200229 ; заявл. 06.01.2012 ; опубл. 25.06.2012, Бюл. № 12. - 5 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/492 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|