Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках
Микроэлектронное устройство для определения диффузионной длины неосновных носителей заряда Microelectronic device for determination of diffusion length of minor carriers in semiconductors |
|
| Creator |
Кравченко, Юрій Степанович
Осадчук, Володимир Степанович Осадчук, Олександр Володимирович Плахотнюк, Максим Миколайович Кравченко, Юрий Степанович Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Плахотнюк, Максим Николаевич Kravchenko, Yurii Stepanovych Osadchuk, Volodymyr Stepanovych Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych Plakhotniuk, Maksym Mykolaiovych |
|
| Subject |
H01L 21/00
рухливість носіїв заряду неосновні носії заряду контрольно-вимірювальна техніка фізика напівпровідників мікроелектронна техніка пристрій для визначення рухливості дифузійна довжина |
|
| Description |
Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках, до якого введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, індуктивність, ємність та перше і друге джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги підключений до затвора першого польового транзистора, витік якого під'єднаний до першого виводу індуктивності, до верхнього контакту першого резистора та до затвору другого польового транзистора, до якого підключена перша вихідна клема схеми мікроелектронного частотного перетворювача, стік першого польового транзистора під'єднаний до стоку другого польового транзистора, до нижнього контакту першого резистора та до верхнього контакту другого резистора, причому другий вивід індуктивності підключений до першого виводу ємності і першого полюса другого джерела постійної напруги, а другий полюс підключений до другого виводу ємності і другого полюса першого джерела постійної напруги, витоку другого польового транзистора та до нижнього контакту другого резистора, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема пристрою, причому до вихідних клем під'єднано блок обробки та індикації сигналу.
Микроэлектронное устройство для определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводниках, в которое введен блок обработки и индикации сигнала, микроэлектронный частотный преобразователь, который содержит первый и второй резисторы, первый и второй полевые транзисторы, индуктивность, емкость и первый и второй источники постоянного напряжения, причем первый полюс первого источника постоянного напряжения подключен к затвору первого полевого транзистора, исток которого подключен к первому выводу индуктивности, к верхнему контакту первого резистора и к затвору второго полевого транзистора, к которому подключена первая выходная клемма схемы микроэлектронного частотного преобразователя, сток первого полевого транзистора подключен к стоку второго полевого транзистора, к нижнему контакту первого резистора и к верхнему контакту второго резистора, причем второй вывод индуктивности подключен к первому выводу емкости и первому полюсу второго источника постоянного напряжения, а второй полюс подключен ко второму выводу емкости и второму полюсу первого источника постоянного напряжения, истоку второго полевого транзистора, и к нижнему контакту второго резистора, которые образуют общую шину, к которой подключена вторая выходная клемма устройства, причем к выходным клеммам подключен блок обработки и индикации сигнала. The invention proposes a microelectronic device intended for determination of diffusion length of minor carriers in semiconductors, in which a signal processing and indication unit, a microelectronic frequency converter including a first and second resistors, a first and second field-effect transistors, an inductance, a capacitor and a first and second DC voltage source are incorporated. A first pole the first DC voltage source is connected to gate of the first field-effect transistor, source of which is connected to first lead of the inductance, to upper contact of the first resistor and to gate of the second field-effect transistor, to which a first output terminal of the microelectronic frequency converter circuit is connected, drain of the first field-effect transistor is connected to drain of the second field-effect transistor, to low contact of the first resistor and to upper contact of the second resistor, second lead of the inductance is connected to first lead of the capacitor and to the first pole of the second DC voltage source. A second pole is connected to second lead of the capacitor and to second terminal of the first DC voltage source, source of second field-effect transistor and to low contact of a second resistor which form a common bus to which second output terminal of the device is connected, to output terminals the signal processing and indication unit is connected. |
|
| Date |
2015-06-24T12:58:53Z
2015-06-24T12:58:53Z 2009-12-25 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
46501
Пат. 46501 UA, МПК H01L 21/00. Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках [Текст] / Ю. С. Кравченко, В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, М. М. Плахотнюк (Україна). - № u200906799 ; заявл. 30.06.2009 ; опубл. 25.12.2009, Бюл. № 24. - 3 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1366 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|