Напівпровідниковий гігрометричний сенсор
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Напівпровідниковий гігрометричний сенсор
Полупроводниковый гигрометрический сенсор Semiconductor hygrometer sensor |
|
| Creator |
Осадчук, Олександр Володимирович
Крилик, Людмила Вікторівна Гладковська, Олена Леонідівна Звягін, Олександр Сергійович Савицький, Антон Юрійович Осадчук, Александр Владимирович Крилик, Людмила Викторовна Гладковская, Елена Леонидовна Звягин, Александр Сергеевич Савицкий, Антон Юрьевич Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych Krylyk, Liudmyla Viktorivna Hladkovskaya, Olena Leonidivna Zviahin, Oleksandr Serhiiovych Savytskyi, Anton Yuriiovych |
|
| Subject |
G01N 21/53
вимірювальна техніка напівпровідниковий сенсор сенсор для вимірювання вологості |
|
| Description |
Напівпровідниковий гігрометричний сенсор містить два польових транзистори, витоки яких з'єднано між собою, на затворі одного з яких створено гребінчасту структуру вологочутливого матеріалу, джерело постійної напруги. Перший і другий польові транзистори є двозатворними, другий транзистор також є вологочутливим. Введено перший, другий, третій і четвертий резистори, ємність й індуктивність.
Полупроводниковый гигрометрический сенсор содержит два полевых транзистора, истоки которых соединены между собой, на затворе одного из которых создана гребенчатая структура влагочувствительного материала, источник постоянного напряжения. Первый и второй полевые транзисторы являются двухзатворными, второй транзистор также влагочувствительный. Введены первый, второй, третий и четвертый резисторы, емкость и индуктивность. Semiconductor hydrometer sensor has two field transistors sinks of which are connected to each other, on gate of one of those comb structure of moisture-sensitive material is formed, source of direct voltage. First and second field transistors are two-gate ones, second transistor is moisture-sensitive as well. First, second, third and fourth resistors are included, capacitor and inductivity. |
|
| Date |
2015-07-06T10:23:35Z
2015-07-06T10:23:35Z 2009-06-25 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
42218
Пат. 42218 UA, МПК G01N 21/53. Напівпровідниковий гігрометричний сенсор [Текст] / О. В. Осадчук, Л. В. Крилик, О. Л. Гладковська, О. С. Звягін, А. Ю. Савицький (Україна). - № u200900901 ; заявл. 06.02.2009 ; опубл. 25.06.2009, Бюл. № 12. - 3 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1441 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|