Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури
Микроэлектронный измеритель оптического излучения на основе транзисторной фоточувствительной структуры Microelectronic optical power meter based on transistor photosensitive structure |
|
| Creator |
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович Ільченко, Олена Миколаївна Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Ильченко, Елена Николаевна Osadchuk, Volodymyr Stepanovych Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych Ilchenko, Olena Mykolaivna |
|
| Subject |
H01L 27/00
G01J 1/44 H01L 27/00 G01J 1/44 контрольно-вимірювальна техніка оптичне випромінювання автоматичне керування технологічними процесами мікроелектронний сенсор транзисторна фоточутлива структура |
|
| Description |
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор та загальну шину. Введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги. МДН-фототранзистор виконано з прозорим затворним електродом із ауруму, що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу пази.
Микроэлектронный сенсор оптического излучения на основе транзисторной фоточувствительной структуры содержит первый источник постоянного напряжения, МДП-фототранзистор, конденсатор, резистор и общую шину. Введен биполярный транзистор, пассивная индуктивность, второй источник постоянного напряжения. МДП- фототранзистор исполнен с прозрачным затворным электродом из аурума, который чувствителен к излучению, а поверхность подкладки свободна от диэлектрика, чувствительна к излучению и имеет над областью канала пазы. A microelectronic sensor of optical radiation based on transistor photosensitive structure comprises a first source of constant voltage, MIS –phototransistor, capacitor, resistor, and a global bus. A bipolar transistor, a passive inductance and a second source of constant voltage are brought in the said sensor. MIS phototransistor is made with a transparent gate electrode made of aurum, which is radiation-sensitive. A surface of a support is free from dielectric, radiation-sensitive and has slots above channels aria. A microelectronic sensor of optical radiation based on transistor photosensitive structure comprises a first source of constant voltage, MIS –phototransistor, capacitor, resistor, and a global bus. A bipolar transistor, a passive inductance and a second source of constant voltage are brought in the said sensor. MIS phototransistor is made with a transparent gate electrode made of aurum, which is radiation-sensitive. A surface of a support is free from dielectric, radiation-sensitive and has slots above channels aria. |
|
| Date |
2015-07-15T11:04:38Z
2015-07-15T11:04:38Z 2009-06-25 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
42207
Пат. 42207 UA, МПК H01L 27/00, G01J 1/44. Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко (Україна). - № u200900878 ; заявл. 06.02.2009 ; опубл. 26.06.2009, Бюл. № 12. - 3 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1451 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|