Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом
Микроэлектронный сенсор ортической мощности с частотным выходом Microelectronic sensor of optical power with a frequency output |
|
| Creator |
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович Ільченко, Олена Миколаївна Осадчук, Владимир Степанович Осадчук, Александр Владимирович Ильченко, Елена Николаевна Osadchuk, Volodymyr Stepanovych Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych Ilchenko, Olena Mykolaivna |
|
| Subject |
пристрій з частотним виходом
мікроелектронний сенсор оптична потужність контрольно-вимірювальна техніка автоматичне керування технологічними процесами H01L 27/00 G01J 1/44 |
|
| Description |
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, резистор, конденсатор та загальну шину. Введено другий МДН-фототранзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги. Перший та другий МДН-фототранзистори виконані з прозорим затворним електродом із ауруму, що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу пази.
Микроэлектронный сенсор оптической мощности с частотным выходом содержит первый источник постоянного напряжения, первый МДП- фототранзистор, резистор, конденсатор и общую шину. Введен второй МДП - фототранзистор, пассивная индуктивность, второй источник постоянного напряжения. Первый и второй МДП - фототранзисторы исполнены с прозрачным затворным электродом из аурума, который чувствителен к излучению, а поверхность подкладки свободна от диэлектрика, чувствительна к излучению и имеет над областью канала пазы. A microelectronic sensor of optical power having a frequency output comprises a first source of constant voltage, a first MIS –phototransistor, resistor, capacitor and a global bus. A second MIS phototransistor, a passive inductance and a second source of constant voltage are brought. The first and the second MIS phototransistors are made with a transparent gate electrode made of aurum, which is radiation-sensitive. A surface of a support is free of dielectric, radiation-sensitive and has slots above channels aria. |
|
| Date |
2015-07-15T11:10:50Z
2015-07-15T11:10:50Z 2009-06-25 |
|
| Type |
Patent
|
|
| Identifier |
42205
Пат. 42205 UA, МПК H01L 27/00, G01J 1/44. Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко (Україна). - № u200900874 ; заявл. 06.02.2009 ; опубл. 25.06.2009, Бюл. № 12. - 3 с. : кресл. http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1452 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)
|
|