Resonances of vacancies the multilayer lattices of the cylindrical dielectric resonators
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Resonances of vacancies the multilayer lattices of the cylindrical dielectric resonators
Собственные колебания вакансий в многослойных решетках цилиндрических диэлектрических резонаторов. Власні коливання вакансій в багатошарових решітках циліндричних діелектричних резонаторів |
|
| Creator |
Trubin, A. A.
|
|
| Subject |
dielectric resonator
modes Q-factor infrared wavelength range диэлектрический резонатор собственные колебания добротность инфракрасный диапазон длин волн діелектричний резонатор власні коливання добротність інфрачервоний діапазон довжин хвиль |
|
| Description |
Multilayer lattices of dielectric resonators in infrared wavelength range has been studied. The screen influence on frequency parameters the different vacancies of DRs realized in the center of structure was considered. Q-factor increase showed for the resonances localized in region of vacancies at the expense of additional field screening by another DR flat lattices. The field amplitudes of partial DR distribution were calculated. The condition of the spectrum depression nearby localize oscillations has been determined.
Приведены результаты исследования собственных колебаний многослойных квадратных и гексагональных решеток диэлектрических резонаторов (ДР) инфракрасного диапазона длин волн. Рассмотрено влияние экранов на частотные параметры собственных колебаний различных вакансий ДР, реализованных в центре структуры. Показана возможность повышения добротности для колебаний, локализованных в области вакансий, за счет дополнительного экранирования поля планарными решетками резонаторов. Рассчитано распределение амплитуд поля парциальных ДР. Установлены условия разрежения спектра вблизи локализованных колебаний. Приведено результати досліджень параметрів власних коливань багатошарових квадратних та гексагональних решіток діелектричних резонаторів (ДР) інфрачервоного діапазону довжин хвиль. Розглянуто вплив екранів на частотні параметри власних коливань різноманітних вакансій ДР, реалізованих в центрі структури. Показано можливість підвищення добротності коливань, яки локалізовані поблизу вакансій, за рахунок додаткового екранування поля планарними решітками резонаторів. Розраховано розподіл амплітуд поля парціальних ДР. Встановлені умови розрідження спектру поблизу локалізованих коливань. |
|
| Publisher |
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
|
|
| Date |
2012-04-27
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/4
10.20535/RADAP.2012.49.13-17 |
|
| Source |
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; No. 49 (2012); 13-17
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 49 (2012); 13-17 Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 49 (2012); 13-17 2310-0389 2310-0397 |
|
| Language |
rus
|
|
| Relation |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/4/14
|
|