Ion-selective field-effect transistors. Threshold voltage calculation
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Ion-selective field-effect transistors. Threshold voltage calculation
Ион-селективные полевые транзисторы. Расчет порогового напряжения Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги |
|
| Creator |
Prischepa, M. M.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Lozovyi, S. V.; Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, м. Київ |
|
| Subject |
ion-selective field-effect transistor; ISFET; ion solution composition; threshold voltage
ион-селективный полевой транзистор; ИСПТ; ионный состав раствора; пороговое напряжение іон-селективний польовий транзистор; ІСПТ; йонний склад розчину; порогова напруга |
|
| Description |
Ion-selective field-effect transistors (ISFET) are being developed and improved to study ion solution composition. It is necessary to determine threshold ISFET voltage on the basis of process data for design and improvement of sensor control circuit. The threshold voltage analytical calculation for p-channel ISFET is presented in this article.
Разрабатываются и усовершенствуются сенсоры на основе ион-селективных полевых транзисторов(ИСПТ) для исследования ионного состава растворов. Для проектирования и усовершенствования схем управления сенсорами необходимо определять пороговое напряжение ИСПТ, исходя из данных технологического процесса. В статье приведен аналитический расчет порогового напряжения р-канального ИСПТ Розробляються та вдосконалюються сенсори на основі іон-селективних польових транзисторів(ІСПТ) для дослідження іонного складу розчинів. Для проектування та вдосконалення схем управління сенсорами необхідно визначати порогову напругу ІСПТ за даними технологічного процесу. У статті наведено аналітичний розрахунок порогової напруги p-канального ІСПТ. |
|
| Publisher |
National Technical University of Ukraine
|
|
| Date |
2012-11-29
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/106
|
|
| Source |
BULLETIN of National Technical University of Ukraine. Series RADIOTECHNIQUE. RADIOAPPARATUS BUILDING; № 50 (2012); 105-113
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 50 (2012); 105-113 Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 50 (2012); 105-113 |
|
| Language |
ukr
|
|
| Relation |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/106/274
|
|
| Rights |
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
|
|