Research of secondary effects in nonlinear radio-location
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Research of secondary effects in nonlinear radio-location
Особенности экспериментального исследования вторичных эффектов в нелинейной радиолокации Особливості експериментального дослідження вторинних ефектів у нелінійній радіолокації |
|
| Creator |
Zinchenko, M. V.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Zinkovskiy, Yu. F.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут” |
|
| Subject |
nonlinear radar; nonlinear scatterer; effective radius of the scattering; experimental stand
нелинейная радиолокация; нелинейный рассеиватель; эффективный радиус рассеяния; экспериментальный стенд нелінійна радіолокація; нелінійний розсіювач; ефективний радіус розсіювання; експериментальний стенд |
|
| Description |
Introduction. The basic setting of nonlinear radio-locator (NR) in the field of technical guarding is the searching, identification and localization of radio-electronic mortgage devices − semiconductor nonlinear scatterers (NS). Statement of the problem. The NR efficiency increasing is possible by minimization of such factors influence as: presence of obstacle structures "metal-oxide-metal" (МОМ-structures) in the investigated medium and presence of parasitic directional pattern lobe of emitting antenna. The analysis of nonlinear scatterers secondary unmasking features is considered. All possible regularities of the course of the phenomena and processes in the investigated medium, that are the consequence of nonlinear areas of NS semiconductor structures characteristics change (distortion) under sounding radiation, are considered. Principal part. Researches showed that theoretically discovered effective radius change effect of nonlinear products dispersion of nonlinear scatterer response signal at the varying of nonlinear radio-locator sounding signal (SS) power-level allows to investigate the phenomenon of semiconductor structures characteristics of NS distortion at the action of relatively powerful ultrahigh frequency field. The effective radius change of nonlinear products dispersion of NS response signal at varying of exposing signal power-level is experimentally confirmed, which proves the possibility and expediency of the secondary unmasked features practice use for the search, identification and localization of NS in the technical guarding field: − the area of looping appearance effect on functional dependence of response signal multiple harmonic level from the sounding signal power-level [3]; − effect of processes inertiality of semiconductor structures volt-ampere characteristics distortion [4]; − phenomena of cross-correlation dependence of response signal chaotic state degree from the sounding signal power-level [5]. Conclusion. The effective radius change of nonlinear products dispersion of NS response signal at varying of exposing signal power-level is experimentally confirmed, which proves the possibility and expediency of the secondary unmasked features practice use for the search, identification and localization of NS in the technical guarding field.
В работе рассмотрен эффект изменения эффективного радиуса рассеяния переизлучаемых сложным нелинейным рассеивателем нелинейных продуктов при варьировании уровня мощности зондирующего сигнала нелинейного радиолокатора. В роботі розглянуто ефект зміни ефективного радіусу розсіювання перевипромінюваних складним нелінійним розсіювачем нелінійних продуктів при варіюванні рівня потужності зондуючого сигналу нелінійного радіолокатора. |
|
| Publisher |
National Technical University of Ukraine
|
|
| Date |
2012-12-25
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/449
|
|
| Source |
BULLETIN of National Technical University of Ukraine. Series RADIOTECHNIQUE. RADIOAPPARATUS BUILDING; № 51 (2012); 88-96
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 51 (2012); 88-96 Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 51 (2012); 88-96 |
|
| Language |
ukr
|
|
| Relation |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/449/434
|
|
| Rights |
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
|
|