Запис Детальніше

Параметры оптически активной области светодиода под воздействием радиационного излучения

Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Параметры оптически активной области светодиода под воздействием радиационного излучения
Оptical active area light-diodes parameters under influence of radiating radiation
Параметри оптично активної області світлодіоду під впливом радіаційного випромінювання
 
Creator Rudenko, N. M.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Stuguk, I. I.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
 
Subject светодиоды; радиоактивная стойкость светодиодов
light-emitting diodes; radioactivity stability semiconductor
світлодіоди; радіоактивна стійкість світлодіодів
 
Description Получены расчетные соотношения, определяющие изменение времени жизни носителей в полупроводниковых материалах под воздействием радиации.
The ratio determining change of the carrier life time in semi-conductor materials under influence of radiation are received
Надані розрахункові співвідношення, що визначають зміни часу життя носіїв в напівпровідникових матеріалах під впливом радіаційного опромінення.
 
Publisher National Technical University of Ukraine
 
Date 2009-10-11
 
Type info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
 
Format application/pdf
 
Identifier http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/265
 
Source BULLETIN of National Technical University of Ukraine. Series RADIOTECHNIQUE. RADIOAPPARATUS BUILDING; № 39 (2009); 126-130
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 39 (2009); 126-130
Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 39 (2009); 126-130
 
Language ukr
 
Relation http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/265/244
 
Rights 1.  Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).