Modeling of high-speed electronic devices
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Modeling of high-speed electronic devices
Моделирование быстродействующих электронных устройств Моделювання швидкодіючих електронних пристроїв |
|
| Creator |
Kudrya, V. G.; Одеська національна академія харчових технологій, м. Одеса
|
|
| Subject |
simulation in nanoelectronics; high-frequency electronics; electromagnetic interference
моделированиеж наноэлектроника; электромагнитные помехи моделювання в наноелектроніці; високочастотна електроніка; електромагнітні перешкоди |
|
| Description |
Introduction. The theme of this publication is the modeling of electronic tools that operate in the frequency range from zero to terahertz and higher. Application of new concepts and technologies, including biotechnology and nanotechnology in the development of monolithic integrated circuits led to a backlog of technologies of projecting from technologies and experimental research and manufacturing. The aim of this work is to develop algorithms for analysis, reflecting not only topological as well as morphological properties of the object, that is designing within the framework of accounting EMI communicational transmission of energy and information in the volume of the monolithic integrated circuit. Basic steps for constructing the algorithm. The object of design is presented in the form of basic elements, which can be combined with a communication structure. The object of design is presented in the form of basic elements, which can be combined with a communication structure. There are three types of matrix equations: component; component - communication structure; communication structure. Systems of equations are reduced to standardized descriptors of mathematical model by which to understand current of poles and voltage arcs whole set of basic elements. In this way obtained mathematical model that can be implemented in CAD nano and micro technology electronics. Conclusions. Mathematical models of analysis of high-speed digital and analog electronic means. The algorithm allows morphological optimization is to minimize the adverse effects outside the system of electromagnetic interaction between the components and communicator.
Предложены методы анализа высокочастотных электронных средств, которые могут быть применены при проектировании монолитных интегральных схем. Для этого предложены математические модели, которые позволяют проводить оценку электромагнитных взаимовлияний неавтономных компонентов и коммуникационных структур в случае их взаимодействия друг с другом. Предложенные модели, в первую очередь, направлены на построения системной САПР для наноэлектроники. Вступ. Темою публікації є моделювання електронних засобів, що працюють в діапазонах частот від нуля до терагерц та вище. Застосування нових принципів та технологій, в тому числі біо- та нанотехнологій, розробки монолітних інтегральних схем призвели до відставання технологій проектування від технологій їх експериментального дослідження та виготовлення. Ціллю даної роботи являється розробка алгоритмів аналізу, що відображають не лише топологічні, а і морфологічні властивості об‘єкта проектування в рамках обліку електромагнітних перешкод комунікаційних шляхів передачі енергії та інформації в об‘ємі монолітної інтегральної схеми. Основні кроки побудови алгоритму. Об‘єкт проектування представляється у вигляді базових елементів, що поєднуються між собою комунікаційною структурою. Розглядаються три типи матричних рівнянь: компонентні, комунікаторні та компонентно-комунікаторні. Системи рівнянь приводяться до уніфікованих дескрипторів математичної моделі, під якими розуміють струми полюсів та напруги дуг всієї множини базових елементів. В такий спосіб отримана математична модель, що може бути реалізована в CAD нано та мікро технологічної електроніки. Висновки. Розроблені математичні моделі аналізу швидкодіючих цифрових та аналогових електронних засобів. Алгоритм дозволяє виконувати морфологічну оптимізацію, тобто мінімізувати шкідливий вплив поза системної електромагнітної взаємодії між компонентами та комунікатором. |
|
| Publisher |
National Technical University of Ukraine
|
|
| Date |
2013-09-28
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/453
|
|
| Source |
BULLETIN of National Technical University of Ukraine. Series RADIOTECHNIQUE. RADIOAPPARATUS BUILDING; № 54 (2013); 151-159
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 54 (2013); 151-159 Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 54 (2013); 151-159 |
|
| Language |
ukr
|
|
| Relation |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/453/667
|
|
| Rights |
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
|
|