Development of devices and systems of growth of gallium arsenide ingots for micro, nano electronics and photovoltaics
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Development of devices and systems of growth of gallium arsenide ingots for micro, nano electronics and photovoltaics
Разработка устройств и систем выращивания слитков арсенида галлия для изделий микро, нано электроники и фотовольтаики Розробка пристроїв і систем вирощування злитків арсеніду галію для виробів мікро, нано електроніки та фотовольтаіки |
|
| Creator |
Oksanich, A. P.; Кременчуцький національний університет ім. М. Остроградського, м. Кременчук
Pritchin, S. E.; Кременчуцький національний університет ім. М. Остроградського, м. Кременчук Terban, V. A.; ПП «Галар», м. Світловодськ |
|
| Subject |
gallium arsenide; ingot; wafer; the temperature gradient; the diameter; the internal stresses
арсенид галлия; слиток; пластина; температурный градиент; диаметр; внутренние напряжения арсенід галію; злиток; пластина; температурний градієнт; діаметр; внутрішні напруження |
|
| Description |
Gallium arsenide is a perspective semiconductor, the need for which is constantly increasing. This is associated with the development of electronic components operating in excess of the high frequency range and development of terrestrial photovoltaics based on gallium arsenide solar cells. Increase in diameter of grown ingots leads to a deterioration in their performance, which is caused by the imperfection of growing technology. The paper presents the results of the development of systems and devices which help to improve existing technology to produce GaAs ingots and wafers with a diameter of 100 mm with the best technical parameters. Developed a system to manage growing GaAs ingot. As a sensor of diameter ingot it uses a weighting method provides a measurement error in the process of growing ± 1,0 mm. The system allows to grow GaAs ingots with an error of ± 2 mm. For the formation of temperature gradients developed thermal unit, which provides a gradient of 51 .. 53 K cm in growing of ingots with diameter of 100 mm. For adjusting the process parameters were developed measuring device of the internal stresses that are generated in the ingot during the growth of the GaAs ingot. Presented in paper technical solutions provided a silicon ingot with a diameter of 100 mm. with mobility, cm2 V-1 s-1 - 2500 ÷ 3500, the charge carrier density, cm-3 - 5x1017 ÷ 5x1018; dislocation density, cm-2 - to 8x104.
В работе представлены результаты разработки системы управления процессом выращивания слитков арсенида галлия, теплового узла, метода и системы измерения внутренних напряжений в пластинах арсенида галлия. Представленные в работе технические решения позволили получить слитки кремния диаметром 100 мм. с подвижностью, см2 В-1 с-1 - 2500 ÷ 3500; концентраций носителей заряда, см-3 - 5x1017 ÷ 5x1018; плотность дислокаций, см-2 - до 8х104. Розробка пристроїв і систем вирощування злитків арсеніду галію для виробів мікро, нано електроніки та фотовольтаіки. У роботі представлені результати розробки системи керування процесом вирощування зливків арсеніду галія, теплового вузла, методу й системи виміру внутрішніх напружень у пластинах арсеніду галію. Представлені в роботі технічні рішення дозволили одержати злитки кремнію діаметром 100 мм. с рухливістю, см2 В-1 с-1 - 2500 ÷ 3500; концентрацій носіїв заряду, см-3 - 5x1017 ÷ 5x1018; густиною дислокацій, см-2 - до 8x104. |
|
| Publisher |
National Technical University of Ukraine
|
|
| Date |
2013-09-28
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/680
|
|
| Source |
BULLETIN of National Technical University of Ukraine. Series RADIOTECHNIQUE. RADIOAPPARATUS BUILDING; № 54 (2013); 136-143
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 54 (2013); 136-143 Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 54 (2013); 136-143 |
|
| Language |
rus
|
|
| Relation |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/680/661
|
|
| Rights |
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
|
|