Запис Детальніше

Tunnel Diode Macro-model in the Electronic Circuits Modeling Systems

Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Tunnel Diode Macro-model in the Electronic Circuits Modeling Systems
Макромодель тунельного диода в системах схемотехнического моделирования
Макромодель тунельного діода в системах схемотехнічного моделювання
 
Creator Zinkowskiy, J. F.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Koval, A. V.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
 
Subject Tunnel Diode; Macro-model; negative resistance
туннельный диод; макромодель; отрицательное сопротивление
621.372.54
тунельний діод; макромодель; від’ємний опір
 
Description Introduction. The circuit simulation programs that are currently in use do not have tunnel diodes macro-models in their standard libraries. So it is important to create and examine a circuit diagram of tunnel diode macro-model, because tunnel diodes are often used for oscillators and amplifiers developing. Theoretical statement. The tunnel diodes macro-models are based on current / voltage characteristics that correspond to the real static characteristics and parameters. The static current/voltage characteristic of the device is defined by coordinates in characteristic points and contains a region of negative dynamic resistance. The suggested circuit diagram of tunnel diode macro-model consists of two parallel circuits. One of them forms so called λ-diode, and the other represents diode with parasitic capacitance. Conclusions. The tunnel diode macro-model was created. A set of equations for parameter computation of micro-models of different types were derived. The oscillator simulation with using created tunnel diode macro-model shows availability of adopted simulating principles.
В работе рассмотрена и исследована схема макромодели туннельного диода. Получены уравнения для расчета параметров элементов макромоделей туннельных диодов. Приведены результаты моделирования генератора на макромодели туннельного диода типа АИ301Г.
В роботі розглянута та досліджена схема макромоделі тунельного діода. Отримані рівняння для розрахунку параметрів елементів макромоделей тунельних діодів. Наведені результати моделювання генератора на макромоделі тунельного діода типу АИ301Г.
 
Publisher National Technical University of Ukraine
 
Date 2014-12-26
 
Type info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
 
Format application/pdf
 
Identifier http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/770
 
Source BULLETIN of National Technical University of Ukraine. Series RADIOTECHNIQUE. RADIOAPPARATUS BUILDING; № 59 (2014); 85-92
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 59 (2014); 85-92
Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 59 (2014); 85-92
 
Language ukr
 
Relation http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/770/907
 
Rights 1.  Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).