Імпедансні моделі двоямних структур
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Імпедансні моделі двоямних структур
Impedance models of double well structures Импедансные модели двухъямных структур |
|
| Creator |
Gindikina, M. A.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”
Vodolazka, M. V.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут” Adamenko, Yu. F.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут” Nelin, E. A.; Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут” |
|
| Subject |
537.311.6:621.372
двоямна структура; імпедансна неоднорідність; вхідний імпеданс double well structure; impedance delta-inhomogeneity; input impedance двухъямная структура; импедансная неоднородность; входной импеданс |
|
| Description |
Імпедансні моделі двоямних структур. Розроблено імпедансні моделі двоямних структур на основі δ-неоднорідностей та прямокутного потенціалу. Розглянуто аналогію двоямної структури та зв’язаних коливальних контурів. Отримано аналітичні вирази для вхідного імпедансу і власних значень двоямних структур. Показано, що характеристики двоямних структур зі скінченним потенціалом та на основі δ-неоднорідностей добре узгоджуються. Досліджено залежності власних значень від параметрів структур.
Introduction. In this paper the impedance models double well structures (DWS) which is based on δ-inhomogeneities and rectangular potential are developed. The models of double well potential which is based on δ-functions and rectangular depending allow to obtain analytical solutions and to investigate important features of DWS. Analogy of double well structure and coupled oscillatory circuits. The analogy of DWS and coupled oscillatory circuits are considered. It is presented comparison the Schrödinger equation for the wave function and the equation for the current circuit without loss. It is shown that DWS as the system with two states performs the function of logical operations similar bits in classical computer. Models based on the impedance δ-inhomogeneities. Two models of DWS based on the impedance δ-inhomogeneities: δ-barrier in the potential well and two δ-wells are developed. The analytical expressions for input impedance and eigenvalues are received and investigated. It is shown that characteristics of DWS with finite size and δ-inhomogeneities agree well. Eigenvalues of asymmetric double well structure. The most general case of asymmetric DWS with a rectangular potential is considered. The eigenvalues of such a structure on the basis of a generalized model of barrier structures are found. Dependences of eigenvalues of symmetric and asymmetric DWS are presented. Conclusions. Impedance models allow to obtain the analytical solutions with substantial generalization problems in comparison with known traditionally solved problems. By analysis of input impedance characteristics conditions for the eigenvalues DWS placed between environments with different wave impedance are received. Разработаны импедансные модели двухъямных структур на основе δ-неоднородностей и прямоугольного потенциала. Рассмотрено аналогию двухъямной структуры и связанных колебательных контуров. Получены аналитические выражения для входного импеданса и собственных значений двухъямной структуры. Показано, что характеристики двухъямных структур с конечным потенциалом и на основе δ-неоднородностей хорошо согласуются. Исследованы зависимости собственных значений от параметров структур. |
|
| Publisher |
National Technical University of Ukraine
|
|
| Date |
2015-03-30
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/954
|
|
| Source |
BULLETIN of National Technical University of Ukraine. Series RADIOTECHNIQUE. RADIOAPPARATUS BUILDING; № 60 (2015); 131-140
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 60 (2015); 131-140 Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 60 (2015); 131-140 |
|
| Language |
ukr
|
|
| Relation |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/954/998
|
|
| Rights |
1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
|
|