Измерение скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни в Si пластинах по кинетике избыточного теплового излучения
Zhytomyr State University Library
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://eprints.zu.edu.ua/8348/
http://journals.ioffe.ru/ftp/ |
|
| Title |
Измерение скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни в Si пластинах по кинетике избыточного теплового излучения
|
|
| Creator |
Богатыренок, В. В.
Зиновчук, А. В. |
|
| Subject |
QC Physics
|
|
| Description |
В работе представлен бесконтактный, неразрушающий метод измерений рекомбинационных параметров (скорость поверхностной рекомбинации, объемное и эффективное время жизни свободных носителей) в Si пластинах. Метод основан на анализе кинетики релаксации избыточного теплового излучения пластины за краем собственного поглощения Si (>3 мкм) при возбуждении коротким лазерным импульсом с энергией кванта больше ширины запрещенной зоны Si. Представлены экспериментальные результаты для пластин толщиной 300 мкм и 2 мм, возбужденных лазерным излучением с длинами волн 0.96 мкм и 1.06 мкм при температурах выше комнатной. Разделение поверхностной и объемной составляющих эффективного времени жизни проводится путем экстраполяции конечного участка кинетики релаксации избыточного теплового излучения до пересечения с координатной осью y. В работе представлен бесконтактный, неразрушающий метод измерений рекомбинационных параметров (скорость поверхностной рекомбинации, объемное и эффективное время жизни свободных носителей) в Si пластинах. Метод основан на анализе кинетики релаксации избыточного теплового излучения пластины за краем собственного поглощения Si (>3 мкм) при возбуждении коротким лазерным импульсом с энергией кванта больше ширины запрещенной зоны Si. Представлены экспериментальные результаты для пластин толщиной 300 мкм и 2 мм, возбужденных лазерным излучением с длинами волн 0.96 мкм и 1.06 мкм при температурах выше комнатной. Разделение поверхностной и объемной составляющих эффективного времени жизни проводится путем экстраполяции конечного участка кинетики релаксации избыточного теплового излучения до пересечения с координатной осью y.
|
|
| Publisher |
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
|
|
| Date |
2010
|
|
| Type |
Article
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
russian |
|
| Identifier |
http://eprints.zu.edu.ua/8348/1/p62-66.pdf
Богатыренок, В. В. and Зиновчук, А. В. (2010) Измерение скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни в Si пластинах по кинетике избыточного теплового излучения. Физика и техника полупроводников, 45 (1). pp. 62-66. ISSN 0015-3222 |
|