Запис Детальніше

Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций

Zhytomyr State University Library

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Relation http://eprints.zu.edu.ua/10521/
http://journals.ioffe.ru/ftp/
 
Title Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций
 
Creator Саченко, А. В.
Беляев, А. Е.
Бобыль, А. В.
Болтовец, Н. С.
Иванов, В. Н.
Капитанчук, Л. М.
Конакова, Р. В.
Кудрик, Я. Я.
Миленин, В. В.
Новицкий, С. В.
Саксеев, Д. А.
Тарасов, И. С.
Шеремет, В. Н.
Яговкина, М. А.
 
Subject QC Physics
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
 
Description На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления ρc омических
контактов к структурам n−n
+−n
++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый
механизм роста ρc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне
100−400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T),
объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на
которых локализованы металлические шунты.
 
Publisher Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
 
Date 2012
 
Type Article
PeerReviewed
 
Format text
 
Language uk
russian
 
Identifier http://eprints.zu.edu.ua/10521/1/%D0%A4%D0%A2%D0%9F%202012%20T46%20%D0%923%20p348-355.pdf
Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Капитанчук, Л. М. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Саксеев, Д. А. and Тарасов, И. С. and Шеремет, В. Н. and Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). pp. 348-355. ISSN 0015-3222