Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP)
Zhytomyr State University Library
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://eprints.zu.edu.ua/10522/
http://journals.ioffe.ru/ftp/ |
|
| Title |
Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP)
|
|
| Creator |
Беляев, А. Е.
Саченко, А. В. Болтовец, Н. С. Иванов, В. Н. Конакова, Р. В. Кудрик, Я. Я. Матвеева, Л. А. Миленин, В. В. Новицкий, С. В. Шеремет, В. Н. |
|
| Subject |
QC Physics
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
|
| Description |
Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного со- противления ρc омических контактов Au–TiBx−Ge−Au−n−n +−n ++(GaAs)-InP до и после кратковременной (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки ρc может уменьшаться во всем температурном интервале измерений 100−400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением. |
|
| Publisher |
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
|
|
| Date |
2012
|
|
| Type |
Article
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
russian |
|
| Identifier |
http://eprints.zu.edu.ua/10522/1/%D0%A4%D0%A2%D0%9F%202012%20T46%20%D0%924%20p558-561.pdf
Беляев, А. Е. and Саченко, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Матвеева, Л. А. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP). Физика и техника полупроводников, 46 (4). pp. 558-561. ISSN 0015-3222 |
|