Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників
Zhytomyr State University Library
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://eprints.zu.edu.ua/11007/
u 2010 15698 |
|
| Title |
Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників
|
|
| Creator |
Бєляєв, О. Є.
Болтовець, М. С. Конакова, Р. В. Мілєнін, В. В. Кудрик, Я. Я. Шеремет, В. Н. Новийький, С. В. |
|
| Subject |
QC Physics
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
|
| Date |
2011-07-25
|
|
| Type |
Patent
NonPeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
ukraine |
|
| Identifier |
http://eprints.zu.edu.ua/11007/1/UA61621_1.pdf
ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. u 2010 15698. |
|