Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs
Zhytomyr State University Library
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://eprints.zu.edu.ua/11036/
u 2013 03026 |
|
| Title |
Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs
|
|
| Creator |
Бєляєв, О. Є.
Бобиль, О. В. Іванов, В. М. Конакова, Р. В. Кудрик, Я. Я. Новицкий, С. В. Саченко, А. В. |
|
| Subject |
QC Physics
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
|
| Date |
2013-09-25
|
|
| Type |
Patent
NonPeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
ukraine |
|
| Identifier |
http://eprints.zu.edu.ua/11036/1/%D0%9E%D0%B1%D1%8A%D0%B5%D0%B4%D0%B8%D0%BD%D1%91%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B4%D0%BE%D0%BA%D1%83%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82.pdf
ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. u 2013 03026. |
|