Формування омічних контактів до напівпровідникових сполук A3N
Zhytomyr State University Library
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Relation |
http://eprints.zu.edu.ua/14145/
|
|
| Title |
Формування омічних контактів до напівпровідникових сполук A3N
|
|
| Creator |
Шеремет, В. М.
Сай, П. О. |
|
| Subject |
QC Physics
|
|
| Description |
В статті розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджені структурні і електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідним дислокаціям з дифузійним обмеженням носіїв струму.
|
|
| Date |
2014
|
|
| Type |
Article
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
ukraine |
|
| Identifier |
http://eprints.zu.edu.ua/14145/1/%D0%92%D1%96%D1%81%D0%BD%D0%B8%D0%BA%20%D0%96%D0%94%D0%A2%D0%A3_2014_1_102.pdf
Шеремет, В. М. and Сай, П. О. (2014) Формування омічних контактів до напівпровідникових сполук A3N. Вісник ЖДТУ (1). pp. 1-102. |
|