Запис Детальніше

Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si

Zhytomyr State University Library

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Relation http://eprints.zu.edu.ua/14146/
 
Title Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si
 
Creator Шеремет, В. Н.
Саченко, А. В.
Беляев, А. Е.
Пилипенко, В. А.
Петлицкая, Т. В.
Анищик, В. А.
Болтовец, Н. С.
Конакова, Р. В.
Кудрик, Я. Я.
Виноградов, А. О.
 
Subject QC Physics
 
Description Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при Т=450°С в течение 10 минут в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления ρс(Т). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости ρс составляет ~5∙109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.
 
Publisher Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
 
Date 2014
 
Type Article
PeerReviewed
 
Format text
 
Language uk
russian
 
Identifier http://eprints.zu.edu.ua/14146/1/p509-513.pdf
Шеремет, В. Н. and Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Пилипенко, В. А. and Петлицкая, Т. В. and Анищик, В. А. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Виноградов, А. О. (2014) Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si. Физика и техника полупроводников, 48 (4). pp. 509-513. ISSN 0015-3222