Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
|
|
| Creator |
Венгер, Є.Ф.
Матвеєва, Л.О. Колядіна, О.Ю. Клименко, А.П. |
|
| Subject |
Фізика
|
|
| Description |
We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-sulfide film interface on the electron passivation of GaAs.
|
|
| Date |
2008-09-02T17:07:19Z
2008-09-02T17:07:19Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp.
1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/1747 621.321.592 |
|
| Language |
uk
|
|
| Publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
|
|