Релаксационное взаимодействие в системе cBN–Al при высоком давлении
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Релаксационное взаимодействие в системе cBN–Al при высоком давлении
|
|
| Creator |
Беженар, Н.П.
Коновал, С.М. Божко, С.А. Белявина, Н.Н. Маркив, В.Я. |
|
| Description |
Методом рентгеноструктурного анализа исследовано влияние высоких давления (2.5–7.7 GPa) и температуры (1300–2300 K) на фазовый состав композитов, синтезированных реакционным спеканием в системе кубический нитрид бора (cBN)–Al. Установлено увеличение объема кристаллической решетки AlN, полученного при 2.5–4.2 GPa, 1300–1750 K, которое объясняется образованием на ее базе твердого раствора с внедрением атомов бора в междоузлия.
Методом рентгеноструктурного аналізу досліджено вплив високих тиску (2.5–7.7 GPa) і температури (1300–2300 K) на фазовий склад композитів, синтезованих реакційним спіканням в системі кубічний нітрид бору (cBN)–Al. Встановлено збільшення об'єму кристалічної решітки AlN, отриманого при 2.5–4.2 GPa, 1300–1750 K, яке пояснюється утворенням на її базі твердого розчину з впровадженням атомів бору в міжвузловини. By X-ray crystal analysis method it has been investigated high pressure (2.5–7.7 GPa) and temperature (1300–2300 K) effects on phase compound of the composites synthesized by reaction sintering in the cubic boron nitride system (cBN)–Al. It is shown that the volume of crystal lattice for AlN synthesized at 2.5–4.2 GPa and 1300–1750 K has increased. It is explained by the formation on its base of solid solution with interstitial boron atoms. |
|
| Date |
2010-02-12T17:54:57Z
2010-02-12T17:54:57Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Релаксационное взаимодействие в системе cBN–Al при высоком давлении / Н.П. Беженар, С.М. Коновал, С.А. Божко, Н.Н. Белявина, В.Я. Маркив // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 2. — С. 41-47. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
0868-5924 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/5985 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
|
|