Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу
|
|
| Creator |
Макара, В.А.
Стебленко, Л.П. Подолян, А.О. Курилюк, А.М. Кобзар, Ю.Л. Науменко, С.М. |
|
| Subject |
Фізика
|
|
| Description |
It is shown that the action of magnetic fields (MF) of different nature (constant and variable MF and a microwave superhigh-frequency field) changes the relaxation kinetics of photoconductivity (PC) in silicon crystals. For an explanation of the obtained results, the mechanism, according to which differences in the relaxation times of PC are related to structural changes in the surface layer of Si that are stimulated by the magnetic influence, is offered.
|
|
| Date |
2010-02-16T16:55:11Z
2010-02-16T16:55:11Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу / В.А. Макара, Л.П. Стебленко, А.О. Подолян, А.М. Курилюк, Ю.Л. Кобзар, С.М. Науменко // Доп. НАН України. — 2008. — № 10. — С. 91-95. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6107 548.4;548.0:539.3.8 |
|
| Language |
uk
|
|
| Publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
|
|