Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения
|
|
| Creator |
Войтович, И.Д.
Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
|
| Description |
Работа посвящена разработке технологии тонкопленочных туннельных структур на основе ниобия и алюминия для детекторов излучения на базе сверхпроводниковых туннельных переходов (СТП). Проведен анализ влияния сверхпроводящих и микроструктурных характеристик слоев СТП на энергетическое разрешение детектора. Приведены результаты разработки технологии сверхпроводящих пленок ниобия, свободных от напряжения, а также структур Nb/AlOx-Al/Nb и Nb/Al-AlOx-Al/Nb, пригодных для детекторов излучений.
|
|
| Date |
2010-03-02T11:50:44Z
2010-03-02T11:50:44Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Разработка технологии формирования сверхпроводниковых туннельных переходов для детекторов излучения / И.Д. Войтович, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2004. — № 3. — С. 35-42. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
1817-9908 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6403 583.945 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
|
|