Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов
|
|
| Creator |
Будник, Н.Н.
Лебедева, Т.С. Шпилевой, П.Б. Якопов, Г.В. |
|
| Description |
При разработке детекторов излучений на основе сверхпроводящих туннельных переходов (СТП) важно учитывать факторы, ограничивающие параметры устройств, в частности, эффект близости. В случае СТП Nb/AlxOy-Al/Nb он связан со слоями Al на границах туннельного барьера. В данной работе рассмотрено влияние эффекта близости на сигнальные свойства детектора излучений, а также возможность калибровки оптического сенсора на основе СТП при температуре 4,2 К при помощи методики накопления данных.
Developing of radiation detectors based on superconductive tunnel junction (STJ) it is important to take into account limiting device parameters factors as proximity effect, particularly. In the case of STJ Nb/AlxOy-Al/Nb the effect is related to Al layers at the interfaces of tunnel junction. The work is devoted to influence of proximity effect on signal properties of radiation detectors. The possibility of optical detector calibration using dataes accumulating is described too. |
|
| Date |
2010-03-04T10:57:57Z
2010-03-04T10:57:57Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние эффекта близости на свойства сверхпроводящих туннельных переходов / Н.Н. Будник, Т.С. Лебедева, П.Б. Шпилевой, Г.В. Якопов // Комп’ютерні засоби, мережі та системи. — 2006. — № 5. — С. 47-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
1817-9908 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6461 583.945 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
|
|