Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів
|
|
| Creator |
Свірін, П.В.
|
|
| Subject |
Технічні засоби отримання і обробки даних
|
|
| Description |
Розглянуто підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів (РТД). Зроблено огляд фізичних моделей РТД. Описано принципи роботи РТД. Наведено порівняння фізичних моделей.
Pассмотрены подходы к физическому моделированию резонансно-туннельного эффекта и резонансно-туннельных диодов (РТД). Сделан обзор физических моделей РТД. Описаны принципы работы РТД. Приведено сравнение физических моделей. Approaches to the physical simulation of resonant-tunneling effect and the simulation of resonanttunneling diodes (RTD) are considered. The RTD principles of operation are described. An overview of the RTD physical models and their comparison are made. |
|
| Date |
2010-04-02T14:35:38Z
2010-04-02T14:35:38Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів / П.В. Свірін // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2008. — Т. 10, № 4. — С. 37-46. — Бібліогр.: 28 назв. — укp.
1560-9189 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7605 621.385.832.564.4 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Реєстрація, зберігання і обробка даних
|
|
| Publisher |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
|
|