Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
|
|
| Creator |
Набиев, Г.А.
|
|
| Description |
В статье показана возможность определения параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние с помощью релаксационных кривых в пленках теллурида кадмия, легированных серебром.
У статті показана можливість визначення параметрів рівнів прилипання, відповідальних за фотоелектретний стан за допомогою релаксаційних кривих у плівках телуріда кадмію, легованих сріблом. In the paper, an ability of determination of capture levels parameters, which are responsible for photoelectret state using relaxation curves in silver-doped cadmium telluride films been studied. |
|
| Date |
2010-04-19T14:45:15Z
2010-04-19T14:45:15Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 89-91. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7864 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|