Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий
|
|
| Creator |
Комаров, Ф.Ф.
Мильчанин, О.В. Миронов, А.М. Купчишин, А.И. |
|
| Description |
На основании результатов исследований процессов дефектообразования в кремнии и арсениде галлия при внедрении протонов и перестройки дефектной системы кристаллов в результате последующих термообработок получены оптимальные режимы этих обработок для формирования приборных структур микро- и оптоэлектроники. Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А^3В^5.
На підставі результатів досліджень процесів дефектоутворення в кремнії та арсеніді галію при впровадженні протонів і перебудови дефектної системи кристалів у результаті наступних термообробок отримані оптимальні режими цих обробок для формування приладових структур мікро- і оптоелектроніки. Представлено ряд розробок, доведених до технологічного виконання, які дозволяють одержувати унікальні структури мікро- і оптоелектроніки з використанням протонних пучків. On the basis of results of researches of processes of defect formation in silicon and arsenide of gallium at introduction of protons and alteration of the imperfect system of crystals as a result of subsequent heat treatments the optimum modes of these treatments are got for forming of device structures micro- and optoelectronics. A few important implementations of proton beams to produce unique structures of microelectronics and optoelectronics are presented. |
|
| Date |
2010-04-20T12:57:23Z
2010-04-20T12:57:23Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, А.И. Купчишин // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 142-150. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7891 621.384:621.382 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|