Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
|
|
| Creator |
Ёдгорова, Д.М.
Каримов, А.В. Камонов, Б.М. Якубов, Э.Н. |
|
| Description |
На основании спада фотонапряжения при возбуждении трехбарьерной фотодиодной Ag-pGaAsnGaAs-Ag-структуры прямоугольным световым импульсом от светодиода с λ= 0,95 мкм определены времена жизни неосновных носителей, квантовая эффективность для заданного напряжения. Расчетные данные показывают, что арсенидгаллиевые трехбарьерные фотодиодные структуры благодаря низким значениям емкости обладают высоким частотным диапазоном.
На підставі спаду фотонапруги при порушенні трьохбар’єрної фотодіодної nGaAs-Ag-структури прямокутним світловим імпульсом від світлодіода з λ= 0,95 мкм визначені часи життя неосновних носіїв, квантова ефективність для заданої напруги. Розрахункові дані показують, що арсенідгалієві трьохбар’єрної фотодіодної структури завдяки низьким значенням ємності володіють високим частотним діапазоном. On the basis of photovoltage drop at excitation three-barrier photodiode Ag-pGaAs-nGaAs-Agstructure by a rectangular light impulse from the light diode with λ= 0,95 μm the minority carriers lifetimes, quantum efficiency for given voltage are determined. The design data demonstrate that gallium-arsenide three-barrier photodiode structures due to low values of capacity have high frequency band. |
|
| Date |
2010-04-23T11:14:19Z
2010-04-23T11:14:19Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Б.М. Камонов, Э.Н. Якубов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 252-255. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7975 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|