Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
|
|
| Creator |
Стороженко, И.П.
|
|
| Subject |
Вакуумная и твердотельная электроника
|
|
| Description |
Исследовано возникновение и дрейф волн объёмного заряда в диоде Ганна на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) с n+-n катодом. Показано, что в варизонных диодах Ганна существуют эффекты, которых нет в диодах на основе пространственно-однородных по составу полупроводников. Сделано обобщение тройных варизонных полупроводников А3В5. Досліджено виникнення та дрейф хвиль об’ємного заряду в діоді Ганна на основі варізонного GaPx(z)As1-x(z). з n+-n катодом. Показано, що у варізонних діодах існують ефекти, яких нема у діодах Ганна на основі просторово-однорідних за складом напівпровідників. Зроблено узагальнення потрійних варізонних напівпровідників А3В5. Singularities formation and drift of volume charge wave in based variband GaPx(z)As1-x(z) Gunn diodes with n+-n cathode has been studied. These diodes are shown exist of phenomena’s which not in employing spatially efficiency homogeneous semiconductors. To made extension of А3В5 variband threefold semiconductors. |
|
| Date |
2010-08-09T09:21:35Z
2010-08-09T09:21:35Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z) / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 243-249. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10841 621.382.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|