Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
|
|
| Creator |
Грищенко, С.В.
Демин, А.А. Лысак, В.В. Петров, С.И. |
|
| Subject |
Вакуумная и твердотельная электроника
|
|
| Description |
Проводится теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитывает длину волны излучения, отражательную способность зеркал и оптическое поглощение во всех слоях детектора. Были получены зависимости квантовой эффективности от коэффициента отражения верхнего зеркала резонатора на основе Al0,65Ga0,35As/GaAs при различных других параметрах структуры. Найдены значения коэффициента отражения верхнего зеркала в зависимости от физических параметров структуры. Проводиться теоретичне дослідження квантової єфективності резонансного p-і-n фотодетектора на основі InGaAs/GaAs для надшвидких оптичних з’еднань. Розрахована квантова ефективність для умов резонансу. Математична модель включає до себе фізичні параметри фотодетектора та враховує довжину хвілі випромінювання, відбивну спроможність дзеркал та оптичне поглинання в усіх шарах детектора. Були отримани залежності квантової ефективності від коєфіціента відбивання верхнього дзеркала резонатора на основі Al0,65Ga0,35As/GaAs при різних інших параметрах структури. Знайдено значення коєфіциента відбивання верхнього дзеркала в залежності від фізичних параметрів структури. We present a theoretical analysis on the quantum efficiency of a resonant cavity enhanced (RCE) InGaAs/GaAs p-i-n detector for the ultrashort optical connections. The quantum efficiency (QE) under resonant condition has been calculated. The math model includes physical parameters of photodetector and takes into account wave-length, reflecting availability of mirrors and optical absorption in all photodetector layers. QE dependence from the top mirror reflectivity coefficient based on Al0,65Ga0,35As/GaAs was obtained. Magnitude of reflectivity coefficient of the top mirror in dependence of different physical parameters was found. |
|
| Date |
2010-08-06T15:57:58Z
2010-08-06T15:57:58Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений / С.В. Грищенко, А.А. Демин, В.В. Лысак, С.И. Петров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 401-407. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10802 621.383.52 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|