Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
|
|
| Creator |
Стороженко, И.П.
Аркуша, Ю.В. Прохоров, Э.Д. |
|
| Subject |
Вакуумная и твердотельная электроника
|
|
| Description |
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ, у которых катодным контактом является изотипный, прямосмещенный гетеропереход. Вычислены энергетические и частотные характеристики. Определены предельные рабочие частоты. За допомогою дворівневої моделі міждолинного переносу електронів (МПЕ) у напівпровідниках досліджена робота GaAs діодів Ганна з AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показані основні закономірності та особливості роботи приладів з МПЕ, у яких катодним контактом є ізотопний, прямозміщений гетероперехід на катодному контакті. Розраховані енергетичні та частотні характеристики. Визначені граничні робочі частоти. Operation of the GaAs TED’s with AlxGa1-xAs and GaPxAs1-x cathodes is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in the semiconductors. Fundamental behaviors and specialty operation of the GaAs TED’s with forward bias isotype heterojunction in cathode are defined. Energy and frequency characteristics are calculated. Boundary operation frequencies are determined. |
|
| Date |
2010-08-09T14:11:45Z
2010-08-09T14:11:45Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 3. — С. 579-583. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10891 621.382.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
|
|