Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях
|
|
| Creator |
Довбня, А.Н.
Ефимов, В.П. Абызов, А.С. Шаповал, И.И. Рыбка, А.В. Березняк, Е.П. Закутин, В.В. Решетняк, Н.Г. Ромасько, В.П. |
|
| Subject |
Применение ускорителей
|
|
| Description |
Исследуются радиационные процессы формирования аморфно-микрокристаллических гетероструктур с квантовыми нитями, обеспечивающие вывод носителей заряда из объема полупроводника в кремниевых фотопреобразователях нового поколения.
Досліджено радіаційні процеси формування аморфно-мікрокристалічних гетероструктур з квантовими нитями, які забезпечують відведення носіїв заряду з об'єму напівпровідника у кремнієвих фотоперетворювачах нового покоління. Radiation processes of formation of amorphous-microcrystalline heterostructures with the quantum threads, providing charge carriers collection from semiconductor bulk in the silicon photoconverters of new generation are investigated. |
|
| Date |
2011-01-31T16:29:31Z
2011-01-31T16:29:31Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях / А.Н. Довбня, В.П. Ефимов, А.С. Абызов, И.И. Шаповал, А.В. Рыбка, Е.П. Березняк, В.В. Закутин, Н.Г. Решетняк, В.П. Ромасько // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 2. — С. 164-167. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15712 621.3.049.77 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
|
|