Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
|
|
| Creator |
Силенко, П.М.
Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. |
|
| Description |
Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним.
|
|
| Date |
2011-03-05T23:19:18Z
2011-03-05T23:19:18Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
XXXX-0048 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690 661.1:661.65:661.68:669.046 |
|
| Language |
uk
|
|
| Publisher |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
|
|