Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
|
|
| Creator |
Козирев, Ю.М.
Картель, М.Т. Рубежанська, М.Ю. Скляр, В.К. Дмитрук, Н.В. Тайхерт, К. Хофер, К. |
|
| Subject |
Фізика
|
|
| Description |
Системи самоорганiзованих нанокластерiв Si та Ge одержано методом молекулярно-променевої епiтаксiї на первiсно аморфному оксидованому шарi SiOx (x ≤ 2). На вiдмiну вiд нанокластерiв Si, якi виявляють ознаки монокристалiчностi: боковi фасети {113} з характерними кутами нахилу приблизно 25º та верхнiми терасами (100), нанокластери Ge набувають форми напiвсфер з низьким спiввiдношенням латерального розмiру нанокластера до висоти β. Запропоновано механiзм формування таких систем.
Self-assembled Si and Ge nanoclusters are prepared by molecular-beam epitaxy on an initially amorphous silicon oxide SiOx (x ≤ 2) layer. In contrast to Si nanoclusters that seem to show monocrystalline features: {113} side facets with characteristic angles of about 25 º and top (100) terraces, the formed Ge nanoclusters take a shape of hemispheres with a lower ratio of the nanocluster lateral size to height β. A mechanism of formation of such a system is proposed. |
|
| Date |
2011-04-23T15:47:30Z
2011-04-23T15:47:30Z 2010 |
|
| Identifier |
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії / Ю.М. Козирев, М.Т. Картель, М.Ю. Рубежанська, В.К. Скляр, Н.В. Дмитрук, К. Тайхерт, К. Хофер // Доп. НАН України. — 2010. — № 1. — С. 71-76. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.
1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/19255 537.311.322 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Доповіді НАН України
|
|
| Publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
|
|