Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
|
|
| Creator |
Terebinska, M.I.
Lobanov, V.V. Grebenyuk, A.G. |
|
| Subject |
Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
|
|
| Description |
Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been evaluated in the vicinity of such a formation. The electrostatic field tensity has been found to be great enough to ionize adsorbed organic molecules.
Методом функціоналу електронної густини з використанням базисного набору 6-31 G** розраховано рівноважну просторову будову кластерної моделі складу Si89(OH)43H*36 для пірамідального утворення на поверхні поруватого силіцію. Одержано розподіл електронного заряду та електростатичного поля в околі такого утворення. Виявлено, що напруженість електростатичного поля достатня для іонізації адсорбованих органічних молекул. Методом функционала электронной плотности с использованием базисного набора 6-31 G** рассчитано равновесное пространственное строение кластерной модели состава Si89(OH)43H*36 для пирамидального образования на поверхности пористого кремния. Получено распределение электронного заряда и электростатического поля вблизи такого образования. Обнаружено, что напряженность электростатического поля достаточна для ионизации адсорбированных органических молекул. |
|
| Date |
2011-11-27T16:02:36Z
2011-11-27T16:02:36Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface / M.I. Terebinska, V.V. Lobanov, A.G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 235-237. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
2079-1704 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/28983 544.723 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Хімія, фізика та технологія поверхні
|
|
| Publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
|
|