Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах
|
|
| Creator |
Ліщинська, Л.Б.
|
|
| Description |
The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure. |
|
| Date |
2011-12-25T17:52:07Z
2011-12-25T17:52:07Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
XXXX-0068 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/29661 621.317 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Моделювання та інформаційні технології
|
|
| Publisher |
Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України
|
|