Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
|
|
| Creator |
Баранський, П.І.
Гайдар, Г.П. |
|
| Subject |
Матеріалознавство
|
|
| Description |
Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації у просторовому розподілі легуючої домішки за рахунок kT, що відбувається при T=1412 °С у процесі вирощування легованих монокристалів n–Si з розплаву.
It is experimentally proved that the presence of the temperature gradient (at the interface of the liquid and solid phases in heavily doped monocrystals of n–Si : As in the process of their growth from a melt) does not lead to an anisotropy in the fluctuating distribution of a doping impurity. This fact shows the dominating role of randomization in the spatial distribution of a doping impurity due to kT (at T=1412 °С) during the growth of n–Si doped monocrystals from a melt. |
|
| Date |
2012-02-14T17:51:43Z
2012-02-14T17:51:43Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Доп. НАН України. — 2010. — № 11. — С. 77-80. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.
1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/30788 621.315.592.3 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Доповіді НАН України
|
|
| Publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
|
|