Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
|
|
| Creator |
Житарюк, В.Г.
Годованюк, В.М. Докторович, І.В. |
|
| Subject |
Оптична і квантова електроніка в комп’ютерних та інтелектуальних технологіях
|
|
| Description |
Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.
Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated. |
|
| Date |
2012-04-14T19:38:19Z
2012-04-14T19:38:19Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.
1681-7893 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/32230 537.611 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|