Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
|
|
Creator |
Umeno, Y.
Kinoshita, Y. Kitamura, T. |
|
Subject |
Научно-технический раздел
|
|
Description |
Ab initio density functional calculations are performed to investigate the ideal shear deformation of SiC poly types (3C, 2H, 4H, and 6H). The deformation of the cubic and the hexagonal poly types in small strain region can be well represented by the elastic properties of component Si4C-tetrahedrons. The stacking pattern in the polytypes affects strain localization, which is correlated with the generalized stacking fault (GSF) energy profile of each shuffle-set plane, and the ideal shear strength. Compressive hydrostatic stress decreases the ideal shear strength, which is in contrast with the behavior of metals.
Выполнены функциональные расчеты ab initio плотности с целью изучения идеальной сдвиговой деформации политипов SiC (3С, 2Н, 4Н, 6Н). Деформирование кубических и гексагональных политапов в области малых деформаций характеризуется упругими свойствами составляющих тетраэдров, Si4C. Характер укладки в политипах оказывает воздействие на локализацию деформаций (что коррелирует с профилем энергии обобщенного дефекта укладки каждой перемещенной плоскости) и идеальную прочность на сдвиг. Сжимающее гидростатическое напряжение снижает идеальную прочность на сдвиг, что отличает поведение этих материалов от металлов. |
|
Date |
2013-08-17T10:57:19Z
2013-08-17T10:57:19Z 2008 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide / Y. Umeno, Y. Kinoshita, T. Kitamura // Проблемы прочности. — 2008. — № 1. — С. 8-13. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.
0556-171X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/48238 539. 4 |
|
Language |
en
|
|
Relation |
Проблемы прочности
|
|
Publisher |
Інститут проблем міцності ім. Г.С. Писаренко НАН України
|
|