Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
|
|
| Creator |
Перевертайло, В.Л.
|
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p—n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10—40 кэВ) рентгеновского излучения.
Запропоновано метод визначення потужності дози випромінення за іонізаційним струмом в p—n-пере-ході та радіаційної стійкості МДН інтегральних схем за допомогою низькоенергетичного (10—40 кеВ) рентгенівського випромінювання. A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p—n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10—40 keV) X-rays. |
|
| Date |
2013-12-05T19:56:18Z
2013-12-05T19:56:18Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 30-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51646 539.1.074.5; 621.382 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|