Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
|
|
| Creator |
Коган, Л.М.
|
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Представлены разработанные в НПЦ ОЭП «ОПТЭЛ» мощные ИК-диоды с длиной волны излучения 805±10, 870±20 и 940±10 нм. Сила излучения узконаправленных диодов— до 4 Вт/ср в непрерывном режиме и до 100 Вт/ср в импульсном. Мощность излучения широкоугольных диодов достигает 1 Вт в непрерывном режиме. Внешний квантовый выход излучения ИК-диодов достигает 30%. Созданы также модули ИК-диодов с блоком плоских линз Френеля с силой излучения до 70 Вт/ср.
В НВЦ ОЕП «ОПТЕЛ» розроблено потужні ІК-діоди з довжиною хвилі випромінювання 805±10,870±20 та 940±10 нм. Сила випромінювання вузь-конаправлених діодів — до 4 Вт/ср в безперервно-му режимі та до 100 Вт/ср в імпульсному. Потужність випромінювання ширококутних діодів до-сягає1 Вт в безперервному режимі. Зовнішній квантовий вихід випромінювання ІЧ-діодів досягає 30%.Створено також модулі ІЧ-діодів з блоком плоских лінз Френеля з силою випромінювання до 70 Вт/ср. Powerful infrared LEDs with emission wavelength 805 ± 10, 870 ± 20 and 940 ± 10 nm developed at SPC OED "OPTEL" are presented in the article. The radiant intensity of beam diode is under 4 W/sr in the continuous mode and under 100 W/sr in the pulse mode. The radiation power of wide-angle LEDs reaches 1 W in continuous mode. The external quantum efficiency of emission IR diodes runs up to 30%. There also has been created infrared diode modules with a block of flat Fresnel lenses with radiant intensity under 70 W/sr. |
|
| Date |
2013-12-05T19:58:29Z
2013-12-05T19:58:29Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона / Л.М. Коган // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 35-40. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51647 621.383.933 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|