Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
|
|
| Creator |
Гаркавенко, А.С.
|
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра.
Дослідження показало, що оптимальними робочими переходами в лазерах з електронним збудженням на основі радіаційно легованих, оптично однорідних кристалів CdS є переходи з виродженої зони про відності на дрібні акцепторні рівні ізотопів паладію та срібла. The research has shown that the optimum laser transitions in electronic excitation lasers based on radiation doped, optically homogeneous CdS crystals are the transitions from the degenerate conduction band to shallow acceptor levels of palladium and silver isotopes. |
|
| Date |
2013-12-05T20:07:38Z
2013-12-05T20:07:38Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51648 535.14.62 :375.828 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|